Технология RAID (Redundant Array of Independent Disks - избыточный массив независимых дисков) предлагает огромный выигрыш в производительности. При использовании RAID возможно удвоить производительность стандартного диска IDE. А при применении дисководов SATA в одной из конфигураций! RAID выигрыш в производительности будет еще больше.

Основными доводами для использования RAID являются:

• увеличение скорости,
• увеличенный объем одного виртуального диска,
• уменьшение последствий отказа диска.

В технологии используются несколько уровней:

1. RAID 0 - данные распределяются (разбиваются на порции, которые распределяются по двум или более жестким дискам); преимущества: почти удваивается скорость доступа к данным; недостатки: если один из дисков отказывает, теряются все файлы;
2. RAID 1 - файлы с одного диска «зеркалируются» (дублируются) на другой; преимущество этого способа в том, что система может продолжать работать, если один из дисков выходит из строя; два недостатка заключаются в том, что для хранения данных отводится объем, определяемый емкостью меньшего из дисков, система не может использовать «избыточный» объем диска большей емкости;
3. RAID 0+1 - при использовании четырех или более жестких дисков возможно объединение преимущества распределения и зеркалирования; недостатки: требуется, по меньшей мере, четыре диска, что увеличивает стоимость модернизации, делает ПК более шумным и увеличивает тепловыделение.

Технология RAID способна ускорить доступ к жестким дискам, защитить систему от отказа диска или (при наличии достаточного количества дисков) одновременно решить обе эти задачи.

Постоянная память компьютера используется для хранения программного обеспечения базовой системы ввода вывода BIOS, включающей набор программ ввода-вывода, с помощью которых операционная система и прикладные программы могут взаимодействовать как с устройствами компьютера, так и внешними устройствами.

Помимо этих программ в BIOS содержится программа тестирования - POST (Power ON Self Test), выполняющаяся каждый раз при запуске компьютера. POST проверяет общую исправность основных устройств компьютера. В случае успешного вьшолнения теста выполняется программа начальной загрузки, также находящаяся в BIOS. Программа начальной загрузки выполняет загрузку операционной системы с соответствующего накопителя. Накопитель, с которого должна загружаться операционная система, указывается в установках конфигурации, хранящихся в памяти RTC CMOS RAM.

В процессе дальнейшей работы для обслуживания стандартные периферийных устройств выполняются хранящиеся в BIOS программы обслуживания - драйверы. Для хранения программ BIOS необходима энергонезависимая память, в качестве которой могут использоваться постоянные запоминающие устройства.

Но в процессе модернизации компьютера совершенствования BIOS может возникнуть потребность изменения содержимого такой микросхемы, в связи с чем более удобно использование постоянных запоминающих устройств с возможностью перезаписи их содержимого.

Кэш-память, расположенная на кристалле центрального процессора, предназначена для согласования скорости работы процессора с более медленными устройствами, такими как динамическая память.

Микросхемы ОЗУ характеризуются следующими параметрами:

• объем характеризует емкость микросхемы (количество ячеек памяти) и выражается в мегабайтах;
• структура определяет организацию ячеек памяти и разрядность микросхемы;
• время доступа к ячейке памяти определяет, за какое, время затребованные данные могут быть переданы из ячейки ОЗУ на шину данных, и характеризует скорость работы микросхемы памяти.

В настоящее время производятся несколько модификаций синхронной памяти, обладающих более высокими показателями производительности. Память типа DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) работает на удвоенной тактовой частоте, позволяя вдвое расширить пропускную способность шины ОЗУ.

Модули памяти, изготавливаемые по технологии DDR SDRAM, имеют обозначение, в котором быстродействие оценивается не тактовой частотой, а пропускной способностью шины. Так, модуль РС3200 DDR40Q может работать с пропускной способностью шины до 3200 Мб/с или 3,2 Гб/с. При этом частота шины должна быть 200 МГц (400 / 2 = 200 МГц). Удвоение скорости DDR в сравнении с SDRAM лишь теоретическое. На самом деле прирост производительности составляет приблизительно 20%.

Память DDR533 также представляет поколение DDR2. Частота и пропускная способность одного канала шины памяти составляет - 533 МГц х 8=4,26 Гб/с. Для двухка-нальной памяти этого типа пропускная способность -8,52 Гб/с.

Память DDR800 - третье поколение DDR3 соответствует спецификации РС6400 - частота и пропускная способность одного канала шины - 800 МГц X 8=6,4 Гб/с. Функциональные возможности DDR2 и DDR3 поддерживаются на базе чипсетов Intel 865...Intel 875 и последующих.

Увеличение существующего объема памяти - наиболее простой и эффективный способ увеличения производительности системы.

Память CMOS RAM

Характерная особенность памяти этого типа состоит в том, что ее содержимое не должно удаляться или быть повреждено при отключении электропитания компьютера. Микросхема CMOS RAM постоянно находится во включенном состоянии благодаря резервному питанию от аккумулятора.

Содержимое памяти (установки конфигурации и показания часов) можно изменять с помощью программы SETUP, которая вызывается в процессе начальной загрузки компьютера.